Menu
Home
Advanced Search
Directory of Libraries
Languages
فارسی
English
العربی
تعداد ۱ پاسخ غیر تکراری از ۱ پاسخ تکراری در مدت زمان ۲,۹۲ ثانیه یافت شد.
1. Experimental and simulation study of gate controlled resistance switching memory
استناد
اطلاعات استناد دهی
BibTex (مخصوص کاربران)
RIS (مخصوص کاربران)
Endnote (مخصوص کاربران)
Refer (مخصوص کاربران)
Mark (مخصوص کتابخانه ها)
پدیدآورنده :
Nurunnahar Islam Mou
کتابخانه:
Center and Library of Islamic Studies in European Languages
(
Qom
)
موضوع :
Electrical engineering,Applied sciences;Gated memristor;Memristor
رده :
»
1
«
Proposal/Bug Report
×
Proposal/Bug Report
×
Warning!
Enter The Information Carefully
Error Report
Proposal